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潔凈室分級實例
B.1 醫(yī)藥產(chǎn)品
B.1中給出了在藥品制造中頻繁使用的制造應(yīng)用和潔凈度等級的相關(guān)性。在對微粒和微生物進(jìn)行控制的加工核心區(qū)對部件進(jìn)行無菌加工,然后在無菌核心區(qū),對消毒產(chǎn)品進(jìn)行灌裝。
人員和加工材料都要經(jīng)過幾道潔凈度逐漸升級的小室(降低微粒濃度),才能進(jìn)入無菌核心區(qū)。通常作法是經(jīng)過幾道潔凈度逐漸升級的小室,人員進(jìn)入?yún)^(qū)按要求進(jìn)行各種級別的更衣。同樣,進(jìn)入各區(qū)的材料也要以適用于進(jìn)入?yún)^(qū)的不同的方式進(jìn)行處理,排隊微粒和/或微生物污染。
表B。1——無菌加工用潔凈室實例
空氣潔凈度級別范圍 ISO Classa | 氣流流型b | 平均值氣流速度c m/s | 應(yīng)用實例 |
5 | U | >0.2 | 無菌核心區(qū)和類似的加工區(qū)d |
5-7 | N或M | 不適用 | 直接支持無菌生產(chǎn)的其它加工區(qū)。 最終滅菌產(chǎn)品的加工區(qū)。 |
7-8 | N或M | 不適用 | 無菌生產(chǎn)支持區(qū),包括受控的制備區(qū)。 |
注:na=不適用 | |||
a) 在制訂最佳設(shè)計條件之前,應(yīng)該詳細(xì)說明與ISO等級有關(guān)的占用狀態(tài)。 b) 表列的氣流流型表示該等級的潔凈室的氣流特性:U=單向流;N=非單向流;M=混合流(U和N的混合)。 c) 平均氣流速度為通常規(guī)定的潔凈室內(nèi)單向流的流動方法。對非單向流流速的要求取決于特定的應(yīng)用因數(shù),如溫度、受控空間的構(gòu)造和待保護(hù)的項目。最低平均氣流速度應(yīng)為0.2 m/s(垂直流動)。 d) 在要求對操作員進(jìn)行保護(hù),保證安全運送有害材料時,應(yīng)該考慮采用隔離概念(見附錄A中的例子)或適當(dāng)?shù)陌踩窈桶踩O(shè)備。 |
B.2 微電子
在微電子行業(yè)中,器件特性尺寸極小,或薄膜厚度極小,因而限定了污染控制標(biāo)準(zhǔn)和相應(yīng)的潔凈度等級。
經(jīng)常以臨界粒徑為基準(zhǔn),選擇最低粒子嘗試的潔凈度等級。臨界粒徑(通常設(shè)定為最小特性尺寸的1/10)有助于選擇符合潔凈室要求的潔凈度等級。
不同加工核心區(qū)的潔凈度等級是依據(jù)污染的概率和潛在的器件故障來確定的。
例如,光刻工序中,晶片暴露在環(huán)境中,污染概率極高時器件的不合格率也會極高。因此,在微電子行業(yè)中,要防止出現(xiàn)這種危害,通常會使用隔離區(qū)或微環(huán)境,把工藝核心區(qū)分離開,達(dá)到降低粒子濃度的目的和實現(xiàn)其它工藝參數(shù)(如:溫度、濕度、壓力)。
工作區(qū)是由人和/或自動處理設(shè)備對晶片或管芯進(jìn)行加工的區(qū)域。在工作區(qū)內(nèi),如果產(chǎn)品直接暴露于環(huán)境中,則污染的可能性就會很高。保護(hù)工作區(qū)內(nèi)產(chǎn)品的最通用的方法是單向流,盡可能降低每立方米潔凈室的占用和生產(chǎn)負(fù)荷,越來越多地利用屏障技術(shù)和微環(huán)境把人與暴露的產(chǎn)品隔離開。最常用的方法是用物理屏障和氣流把工作區(qū)與非臨界的鄰區(qū)分隔開。
公用設(shè)施區(qū)是通常放置晶片加工設(shè)備無操作員的接口部分。動力區(qū)內(nèi)正在進(jìn)行的工作一般不暴露于環(huán)境中。一個加工核心區(qū)的公用設(shè)施區(qū)通常與其相對應(yīng)的工作區(qū)相鄰。
服務(wù)區(qū)是既無產(chǎn)品又無加工設(shè)備的區(qū)。其位置告訴工作區(qū)和公共設(shè)施區(qū),有助于分離潔凈區(qū)和低潔凈區(qū)。(見表B.2)
表B.2——微電子用潔凈室實例
空氣潔凈度級別 ISO Classa | 氣流 類型b | 平均值氣流速度c m/s | 換氣次數(shù)/小時d m3/m2xh | 應(yīng)用實例 |
2 | U | 0.3-0.5 | 不適用 | 光刻、半導(dǎo)體加工區(qū)e |
3 | U | 0.3-0.5 | 不適用 | 工作區(qū)、半導(dǎo)體加工區(qū) |
4 5 | U U | 0.3-0.5 0.2-0.5 | 不適用 不適用 | 工作區(qū)、多層掩膜加工、密磁盤制造、半導(dǎo)體服務(wù)區(qū)、公用設(shè)施區(qū) |
6 | M | 0.1-0.3 | 公用設(shè)施區(qū)、多層加工區(qū)、半導(dǎo)體服務(wù)區(qū) | |
N或Mf | 不適用 | 70-160 | ||
7 | N或M | 不適用 | 30-70 | 服務(wù)區(qū)、表面處理 |
8 | N或M | 不適用 | 10-20 | 服務(wù)區(qū) |
注:na=不適用 | ||||
a) 在制訂最佳設(shè)計條件之前,應(yīng)該詳細(xì)說明與ISO等級有關(guān)的占用狀態(tài)。 b) 表列的氣流流型表示該等級的潔凈室的氣流特性:U=單向流;N=非單向流;M=混合流(U和N的混合)。 c) 平均氣流速度為通常規(guī)定的潔凈室內(nèi)單向流的流動方法。對單向氣流流速的要求取決于局部的參數(shù),如幾何圖形和熱參數(shù)。不是過濾器的面速度。 d) 每小時換氣次數(shù)是規(guī)定非單向流和混合流的方法。 e) 應(yīng)該考慮采用抗?jié)B的屏障技術(shù)。 F) 污染源和待保護(hù)區(qū)之間有效分隔??梢杂酶舭寤驓饬髌琳稀?/span> |
B.3 潔凈室工作服的影響
對潔凈室內(nèi)人員的數(shù)目和潔凈服和種類,需特殊考慮粒子散發(fā)問題(見本國際標(biāo)準(zhǔn)的相關(guān)部分)。